Opto Diode 的近紅外 (NIR) 高功率 LED 專(zhuān)為需要準(zhǔn)確、高輸出紅外照明的苛刻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些器件在 700 至 1300 nm 范圍內(nèi)發(fā)光,具有優(yōu)良的輻射測(cè)量性能、光譜穩(wěn)定性和長(zhǎng)工作壽命。我們的高功率近紅外 LED 單芯片輸出功率高達(dá) 250 mW (DC),多芯片陣列輸出功率高達(dá) 1000 mW (DC),是夜視、監(jiān)控、工業(yè)傳感和其他關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)的適配之選。我們提供標(biāo)準(zhǔn)和定制配置,以滿(mǎn)足您對(duì)波長(zhǎng)、輸出和封裝的確切要求。
高功率輸出
880 nm峰值發(fā)射
三個(gè)芯片串聯(lián)
TO-66 接頭具有良好的散熱性
功率輸出測(cè)試
電氣隔離外殼
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產(chǎn)地 |
美國(guó) |
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25 ℃ 時(shí)的電光特性 |
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總輸出功率,Po IF = 300 mA |
150 至 170 mW |
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總輸出功率,IF = 8 A |
3500 mW |
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峰值發(fā)射波長(zhǎng),λP IF = 50 mA |
880 nm |
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50 % 時(shí)的光譜帶寬,Δλ IF = 50 mA |
80 nm |
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半強(qiáng)度光束角,θ IF = 50 mA |
120 ° |
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正向電壓,VF IF = 300 mA |
4.5 至 5 V |
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反向擊穿電壓,VR IR = 10 µA |
5 至 30 V |
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電容,C VR = 0 V |
30 pF |
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上升時(shí)間 |
1 µsec |
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下降時(shí)間 |
1 µsec |
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25 ℃ 外殼條件下的Max額定值 |
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功率耗散 |
2 W |
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連續(xù)正向電流 |
400 mA |
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峰值正向電流(10 µs,400 Hz) |
8 A |
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反向電壓 |
5 V |
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引線(xiàn)焊接溫度(距外殼 1/16 英寸,10 s) |
260 ℃ |
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熱參數(shù) |
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存儲(chǔ)和工作溫度范圍 |
-55 至 100 ℃ |
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Max結(jié)溫 |
100 ℃ |
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熱阻,RTHJA1 |
60 ℃/W 典型值 |
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熱阻,RTHJA2 |
16 ℃/W 典型值 |

生物設(shè)備、航空航天、科學(xué)研究與儀器儀表