Opto Diode 的近紅外 (NIR) 高功率 LED 專為需要準確、高輸出紅外照明的苛刻應用而設計。這些器件在 700 至 1300 nm 范圍內發(fā)光,具有優(yōu)良的輻射測量性能、光譜穩(wěn)定性和長工作壽命。我們的高功率近紅外 LED 單芯片輸出功率高達 250 mW (DC),多芯片陣列輸出功率高達 1000 mW (DC),是夜視、監(jiān)控、工業(yè)傳感和其他關鍵任務系統的適配之選。我們提供標準和定制配置,以滿足您對波長、輸出和封裝的確切要求。
寬溫度額定值
2 引線 TO-39 封裝
高溫工業(yè)應用的適配選擇
隔離外殼
符合 RoHS 和 REACH 規(guī)范
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產地 |
美國 |
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25 ℃ 時的電光特性 |
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總輸出功率,Po IF = 500 mA |
60 至 120 mW |
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峰值發(fā)射波長,λP IF = 50 mA |
880 nm |
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50% 時的光譜帶寬,Δλ IF = 50 mA |
55 nm |
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半強度光束角,θ IF = 50 mA |
110 ° |
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正向電壓,VF IF = 500 mA |
1.75 至 2 V |
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反向擊穿電壓,VR IR = 10 µA |
5 至 30 V |
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上升時間 |
20 nsec |
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下降時間 |
20 nsec |
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25 ℃ 外殼溫度下的Max額定值 |
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功率耗散 |
1000 mW |
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連續(xù)正向電流 |
500 mA |
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峰值正向電流(10 µs,200 Hz) |
1.5 A |
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反向電壓 |
5 V |
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引線焊接溫度(距外殼 1/16 英寸,10 秒) |
260 ℃ |
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熱參數 |
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存儲和工作溫度范圍 |
-65 至 150 ℃ |
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Max結溫 |
150 ℃ |
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熱阻,RTHJA |
150 ℃/W 典型值 |
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熱阻,RTHJC |
60 ℃/W 典型值 |

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